Форм-фактор
UDIMM
CAS Latency (CL)
21
Буферизованная (регистровая)
Нет
Вид поставки
OEM
Количество контактов
288
Количество модулей в комплекте
1 шт
Количество ранков
1
Количество чипов на модуле
8 шт
Компоновка чипов на модуле
Односторонняя
Напряжение питания (В)
1.2 В
Низкопрофильная
Нет
Нормальная операционная температура (Tcase)
75 °C
Объем одного модуля
8 ГБ
Поддержка ECC
Нет
Пропускная способность
23400 Мб/с
Радиатор
Нет
Расширенная операционная температура (Tcase)
85 °C
Ссылка на описание на сайте производителя
www.samsung.com
Стандарт
DDR4
Суммарный объем
8 ГБ
Эффективная частота
2933 МГц
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Похожие товары
Модуль памяти DDR4 8GB Kingston KVR26N19S8/8 2666MHz CL19 1.2V 1R 8Gbit
KVR26N19S8/8-21
Форм-фактор: DIMM
2630руб.
Модуль памяти DDR4 8GB Silicon Power SP008GXLZU266BSA 2666MHz XPOWER Turbine CL16 DIMM 1Gx8 SR
SP008GXLZU266BSA-21
Линейка: XPOWER Turbine
Форм-фактор: DIMM
2360руб.
ОЗУ Samsung M378A1K43EB2-CWE(D0) (DIMM, DDR4, 8 Гб, 3200 МГц)
M378A1K43EB2-CWE(D0)-21
Подсветка: Нет
Тип: ОЗУ
Форм-фактор: DIMM
2520руб.
Модуль памяти SODIMM DDR4 8GB Kingston KVR26S19S6/8 2666MHz CL19 1.2V 1R 16Gbit
KVR26S19S6/8-21
Форм-фактор: SODIMM
2700руб.
Модуль памяти DDR4 8GB Kingston KVR26N19S6/8 2666MHz CL19 1.2V 1R 16Gbit
KVR26N19S6/8-21
Форм-фактор: DIMM
2350руб.